沐普科技-dfb激光器光谱-硚口dfb激光器

dfb芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，dfb激光器结构，芯片大小可以在---大拇指上形象地看出来。

dfb芯片设计：芯片分为p极和n极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，dfb激光器线宽，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是dfb的主要应用，如1310nm，1550nm dfb激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段dfb激光器的应用。

相移光栅基本参量有光栅周期λ，有效折射率neff，折射率调制---δn。在dfb光纤激光器中，只用一个相移光栅来选频和反馈，实现谐振腔的功能，那么，相应影响光栅的一些参数将会直接影响谐振腔的性能，进而影响激光器的设计。影响因素有相移量、折射率调制---，相移位置及相移光栅长度，下面运用传输矩阵法结合dfb光纤激光器进行仿l真分析。

　　选频波长一定时，耦合系数k由δn决定， k=πδn/λb，dfb激光器光谱，在dfb掺铒光纤激光器中，对于一定长度的光栅，损耗会直接影响耦合系数k的选取， k值一般取值范围为90m- 1～200m- 1。k值太小，在dfb激光器中不能起振， k值太大，硚口dfb激光器，由于损耗影响会造成输出功率急剧下降甚至几乎没有输出。本文选取光栅长度为5cm，光栅布拉格波长λb=1550nm，折射率调制---为δn =5×10- 5，有效折射率为neff=1. 45，光栅为单相移，相移量φ=π。光栅周期可由λb=2neffλ计算得出λ=534nm。