当前，dfb激光器芯片技术基本上由德国、美国、日本等发达掌握，比如德国nanoplus、sacher、eagleyard、toptica公司，美国thorlabs、em4、power technology、sarnoff公司，日本ntt、oclaro等公司。厂商非常多，但能够实现商业化生产的厂家并不多，主要有nanoplus、eagleyard、ntt、thorlabs等几家公司。国内还没有成熟的dfb芯片生产技术，由于成品率低基本上没有形成商业化，国内生产的dfb激光器主要是基于对国外芯片的封装生产，主要表现为对通讯波段的生产和应用。
dfb的半导体激光器和dfb光纤激光器可是截然不同的。dfb激光器是所谓分布反馈，也有两种，dfb激光器一种是均匀的分布反馈，其布拉格光栅是均匀周期的。dfb激光器另一种是有phase shift的dfb。在均匀周期布拉格光栅的某一个周期上延长一段，---原本均匀性。
dfb激光器的设计在半导体激光器上比较常见，本质就是在半导体增益区上刻蚀光栅结构。在光纤激光器上其实也可以做dfb的设计，这个周期性的光栅结构就是通过紫外---的方式写在增益光纤纤芯。不过这就需要增益光纤的单位增益---，
2006年，cliche等人利用电学反馈的方法将mhz量级的半导体分布式反馈激光器(distributed feedback laser，dfb)降低到khz量级;2011年，kessler等人利用低温高稳单晶腔结合有源反馈控制获得40 mhz的超窄线宽激光输出;2013年，peng等人利用腔外法珀腔(fabry-perot， fp)反馈调节的方法获得15 khz线宽的半导体激光输出，电学反馈方法主要利用的是pond-drever-hall稳频反馈使得光源激光线宽得到压缩。2010年，dfb，bernhardi等人在氧化硅基底上制作1 cm的掺铒氧化铝fbg，获得线宽约为1.7 khz的激光输出。同年，liang等人针对半导体激光器利用高q回音壁谐振腔形成的后向瑞利散射自注入反馈进行线宽压缩，如图 1所示，终获得160 hz的窄线宽激光输出。
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