dfb芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，dfb激光器，芯片大小可以在---大拇指上形象地看出来。
dfb芯片设计：芯片分为p极和n极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是dfb的主要应用，如1310nm，1550nm dfb激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段dfb激光器的应用。
武汉沐普科技sld（sled）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的sld光源，满足客户不同应用领域的要求。
dfb（distributed feedback laser）分布式反馈激光器是在激光器有源层的---层或邻近波导层上刻蚀选用一种具有波长选择性的光栅来实现模式的选择，光栅位置以及光栅波纹---决定了光栅的耦合效率，光栅周期λ决定了光波波长和分布布拉格反馈的衍射级次。
当前，dfb激光器芯片技术基本上由德国、美国、日本等发达掌握，比如德国nanoplus、sacher、eagleyard、toptica公司，美国thorlabs、em4、power technology、sarnoff公司，日本ntt、oclaro等公司。厂商非常多，但能够实现商业化生产的厂家并不多，主要有nanoplus、eagleyard、ntt、thorlabs等几家公司。国内还没有成熟的dfb芯片生产技术，由于成品率低基本上没有形成商业化，国内生产的dfb激光器主要是基于对国外芯片的封装生产，主要表现为对通讯波段的生产和应用。
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