武汉sld-沐普

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    2024-2-5

聂总
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在普通半导体激光二极管中,由于腔体两端面的反射作用会形成法布里-珀罗谐振,当注入电流高于阈值电流时,端面输出增大,会形成激光。但在 sld 中,通过处理,器件后端面处的反射强度不---形成光的反馈谐振,因此sld输出的是非相干光。

所以,sld,sld是一种宽光谱、弱时间相干性、大功率、高的效率的半导体光发l射器件。其光学性质介于 ld 和 led 之间,具有比 ld 更宽的发光光谱和更短的相干长度,比 led 有更高的输出功率,更高的调制带宽。



超辐射发光二极管(sld)是边发射半导体光源。超辐射发光二极管(sld)具有与输出激光二极管(ld)类似的高输出功率和低光束发散度,但具有更宽的光谱和低相干性,类似于发光二极管(led)。与ld相比,sld的具体区别是:有源区内的增益更高,电流密度更高,光子的不均匀性和载流子密度分布---。sld具有与led相似的结构特征,都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用,但是sld没有ld内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。sld本质上是高度优化的led。虽然sld可以像低电流水平的led一样工作,但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性,普通光隔离器(带宽较窄)无法对其发射光谱完全隔离,因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在sld光源以及应用宽带宽的光学系统中,宽带宽隔离器是保护sld激光光源的不2选择。



超辐射发光二极管定义是什么
一般发光二极出的光是完全不相干的,相干长度很短。激光二极管的发出的光是相干的,相干长度很大。而超辐射是有多个原子一起发射的相干自发辐射,其相干长度比一般的自发辐射长,但是比激光差很多。高亮度led正常。按二极管正常工作电流为25毫安算,每个二极管的电阻为128欧,七个二极管总电阻为896欧,七个二极管所需电压3.2乘以7等于22.4v,48减去22.4等于25.6v。25.6v除以电流25毫安所得电阻为1024欧。七个高亮度发光二极管串联接四十八伏的电压要的电阻1024欧。



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