当前，dfb激光器芯片技术基本上由德国、美国、日本等发达掌握，比如德国nanoplus、sacher、eagleyard、toptica公司，美国thorlabs、em4、power technology、sarnoff公司，日本ntt、oclaro等公司。厂商非常多，但能够实现商业化生产的厂家并不多，主要有nanoplus、eagleyard、ntt、thorlabs等几家公司。国内还没有成熟的dfb芯片生产技术，由于成品率低基本上没有形成商业化，国内生产的dfb激光器主要是基于对国外芯片的封装生产，主要表现为对通讯波段的生产和应用。
一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，---性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流---在20ma左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70ma、100ma，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，---热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。
2006年，cliche等人利用电学反馈的方法将mhz量级的半导体分布式反馈激光器(distributed feedback laser，dfb)降低到khz量级;2011年，kessler等人利用低温高稳单晶腔结合有源反馈控制获得40 mhz的超窄线宽激光输出;2013年，peng等人利用腔外法珀腔(fabry-perot，dfb激光器， fp)反馈调节的方法获得15 khz线宽的半导体激光输出，电学反馈方法主要利用的是pond-drever-hall稳频反馈使得光源激光线宽得到压缩。2010年，bernhardi等人在氧化硅基底上制作1 cm的掺铒氧化铝fbg，获得线宽约为1.7 khz的激光输出。同年，liang等人针对半导体激光器利用高q回音壁谐振腔形成的后向瑞利散射自注入反馈进行线宽压缩，如图 1所示，终获得160 hz的窄线宽激光输出。
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